IT之家 5 月 8 日音问，科技媒体 Wccftech 昨日（5 月 7 日）发布博文，报谈称为冲突 10nm 以下制程微缩瓶颈，三星与 SK 海力士两大巨头正研发下一代 DRAM 制造工艺，争夺行业主导权。

IT之家征引博文先容，不同于处治器，DRAM 内存芯片必须依靠电容器存储数据。跟着制程节点束缚松开（如 10nm 以下的 1c 节点），电容器的尺寸难以继续缩减，2026FIFA世界杯中国比分网晶体管间距松开也增多了短路风险。

为了让密度进一步提高，行业正转向 3D DRAM，将传统 2D 平面陈设的 DRAM 单位改为垂直或立体堆叠架构的内存技艺。其旨趣雷同 3D NAND 闪存，通过转变晶体管陈设标的（如水平甩掉）或垂直堆叠，亚搏手机app官方入口在松开制程时保握电容器容量。

不外在技艺竣事方面，三星和 SK 海力士已分化出不同发展道路。

三星方面磋磨本质 GAAFET 工艺。在处治器制造中，GAAFET 通过栅极包裹沟谈来提高电流抑止力；但在 DRAM 中，三星必须将 GAAFET 晶体管与电容器整合在淹没单位内。为此，三星研究鉴戒 NAND 闪存的设想，把认真读写操作的抑止电路置于存储阵列下方。

而 SK 海力士遴荐了 4F2 架构。该决策将晶体管垂直堆叠，通常用栅极材料包裹晶体管，而接管电容数据的组件则置于晶体管柱下方。这种结构与 GAAFET 有相似之处，但空间布局逻辑人大不同。

该媒体指出两大巨头道路分化，中枢筹办一致：当先竣事技艺量产，鼓动自家决策成为下一代 DRAM 的行业圭臬。谁能当先跑通工艺并提高良率，谁就能在 AI 时期的内存商场占据主导。

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